AOB266L 与 IPB037N06N3 G 区别
| 型号 | AOB266L | IPB037N06N3 G | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-AOB266L | A-IPB037N06N3 G | ||||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | 20 | - | ||||
| 宽度 | - | 9.25mm | ||||
| ESD Diode | No | - | ||||
| 上升时间 | - | 70ns | ||||
| Rds On(Max)@4.5V | 3.8mΩ | - | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 98nC | ||||
| Qgd(nC) | 7 | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 61S | ||||
| Td(on)(ns) | 21 | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-263 | TO-263-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | 140A | 90A | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C | ||||
| Ciss(pF) | 5650 | - | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 长度 | - | 10mm | ||||
| 下降时间 | - | 5ns | ||||
| Schottky Diode | No | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 3.2mΩ@10V | 3.7mΩ@90A,10V | ||||
| 高度 | - | 4.4mm | ||||
| Trr(ns) | 27 | - | ||||
| Td(off)(ns) | 36 | - | ||||
| 功率耗散Pd | 268W | 188W | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||
| Qrr(nC) | 145 | - | ||||
| VGS(th) | 3.2 | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 40ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 30ns | ||||
| Coss(pF) | 720 | - | ||||
| Qg*(nC) | 65* | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 314 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOB266L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V |
￥3.7464
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314 | 当前型号 | ||||||
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PSMN004-60B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 3.6mΩ@10V 230W 175°C 3V 60V 75A |
￥17.2514
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0 | 对比 | ||||||
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BUK963R3-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 3mΩ@10V,3.3mΩ@5V 293W 175°C 1.7V 60V 120A |
￥18.5391
|
0 | 对比 | ||||||
|
IRFS3206PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IPB037N06N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 90A 3.7mΩ@90A,10V ±20V 188W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN3R0-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 3.2mΩ@10V 306W 175°C 3V 60V 100A |
￥10.8596
|
0 | 对比 |
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